[发明专利]铸造单晶硅锭及其制备方法在审
| 申请号： | 202010615816.0 | 申请日： | 2020-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN111705358A | 公开（公告）日： | 2020-09-25 |
| 发明（设计）人： | 陈红荣;胡动力;张华利;宋亚飞 | 申请（专利权）人： | 江苏协鑫硅材料科技发展有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B11/14;C30B29/06 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 孔令聪 |
| 地址： | 221004 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种铸造单晶硅锭及其制备方法。铸造单晶硅锭的制备方法包括如下步骤：在坩埚的底部铺设单晶籽晶，形成单晶籽晶层；在单晶籽晶层的四周铺设至少一根单晶条，单晶条与相邻的单晶籽晶相互拼接，其中，单晶条的缺陷比值大于相邻单晶籽晶的缺陷比值；在单晶籽晶层与至少一根单晶条上装硅料，加热使硅料完全熔化、单晶籽晶层部分熔化，长晶之后得到铸造单晶硅锭。上述铸造单晶硅锭的制备方法，在单晶的生长过程中，单晶条内的缺陷处易吸附杂质，从而降低边角硅块的杂质含量和边角硅块缺陷的产生几率。缺陷比值较大的区域可释放硅锭边部的生长应力，减少了缺陷的产生和增值。此外，本发明还涉及一种由上述制备方法制备得到的铸造单晶硅锭。 | ||
| 搜索关键词： | 铸造 单晶硅 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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