[发明专利]一种无σ相析出倾向的沉淀强化型高熵合金及其制备方法有效
申请号: | 202010611439.3 | 申请日: | 2020-06-29 |
公开(公告)号: | CN111826573B | 公开(公告)日: | 2021-12-03 |
发明(设计)人: | 刘鑫旺;高腾飞;刘鹏;涂泽立;蒋文明;樊自田 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | C22C30/02 | 分类号: | C22C30/02;C22C1/02;C22F1/00 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 尚威;李智 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公开了一种无σ相析出倾向的沉淀强化型高熵合金及其制备方法,属于高熵合金领域。所述高熵合金由Fe、Ni、Mn、Cu四种元素采用等摩尔的配比组成。该高熵合金的优选制备方法为:将配好的原料先在真空氩气保护下的电弧炉熔炼,后经过滴铸、均匀化退火、冷轧、时效步骤即得到所述无σ相析出倾向的沉淀强化型高熵合金。所述无σ相析出倾向的沉淀强化型高熵合金室温屈服强度和拉伸强度最优值分别能达到825MPa和933MPa,延伸率大于15%,且其力学性能指标可利用时效参数进行调节。本申请的无σ相析出倾向的沉淀强化型高熵合金在室温下具有优异的综合力学性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 析出 倾向 沉淀 强化 型高熵 合金 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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