[发明专利]IGBT器件的制造方法在审
| 申请号： | 202010594551.0 | 申请日： | 2020-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN111785628A | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 潘嘉;杨继业;姚毅 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 罗雅文 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种IGBT器件的制造方法，涉及半导体制造领域。该沟槽栅IGBT器件的制造方法包括提供一衬底，在所述衬底上形成沟槽；形成栅氧化层，所述栅氧化层覆盖所述沟槽的侧壁和底部；利用多晶硅填充所述沟槽，形成沟槽栅；在多晶硅填充沟槽的过程中，分至少两阶段调整工艺参数中的至少一种，令所述沟槽栅内部无缺陷，所述工艺参数至少包括总气流量、总掺杂量、反应压力；解决了目前沟槽内填充多晶硅后，多晶硅顶部出现形貌缺陷的问题，达到了优化沟槽内多晶硅的填充效果，稳定沟槽栅IGBT器件的阈值电压，提升沟槽栅IGBT器件的性能的效果。 | ||
| 搜索关键词： | igbt 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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