[发明专利]半导体结构及其制造方法、半导体器件、芯片在审
| 申请号： | 202010590179.6 | 申请日： | 2020-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN111900145A | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | 裴俊值;高建峰;李俊杰;刘卫兵 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 付婧 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提出一种半导体结构及其制造方法、半导体器件、芯片，该半导体结构包括：半导体衬底及其上面的介质层；介质层中的导通孔；形成于导通孔中的金属互连线；位于金属互连线上的含钴覆盖层。该半导体结构的制造方法包括：提供半导体衬底及其上面的介质层，介质层中形成有导通孔；在导通孔中沉积金属形成金属互连线；将金属互连线研磨至介质层表面下方；在金属互连线上选择性沉积含钴覆盖层，使含钴覆盖层位于金属互连线之上。本公开在金属互连线上选择性地形成含钴覆盖层，由含钴覆盖层负荷应力迁移和电迁移，有效防止金属互连线中的电荷迁移到介质层中，减少金属互连线因应力迁移或电迁移损伤的情况，提高器件可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 半导体器件 芯片 | ||
【主权项】：
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