[发明专利]具有纳米线的半导体结构有效
| 申请号： | 202010589907.1 | 申请日： | 2015-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN111785775B | 公开（公告）日： | 2023-09-19 |
| 发明（设计）人： | 陈俊仁;蔡滨祥;温在宇;林钰书;杨进盛 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/16;H01L29/165;H01L29/41;H01L29/423;H01L29/775;H01L29/78;H01L29/786;H01L21/02;H01L21/762;H01L21/336;B82Y10/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邢岳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及具有纳米线的半导体结构，包括：衬底；第一纳米线设置在基底上；第二纳米线设置在基底上；第一接触垫设置在第一纳米线的第一端与第二纳米线的第一端；第二接触垫设置在第一纳米线的第二端与第二纳米线的第二端，其中第一接触垫、第二接触垫的材质与第一纳米线、该第二纳米线的材质不同；以及栅极结构包围第一纳米线的部分与第二纳米线的部分。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 纳米 半导体 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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