[发明专利]包括嵌入主IC芯片的金属化层内的小芯片的复合IC芯片在审
| 申请号： | 202010589423.7 | 申请日： | 2020-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN112582391A | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | A.埃尔舍比尼;J.斯万;S.利夫;P.莫罗;G.帕斯达斯特;V.乐 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L25/18 | 分类号： | H01L25/18;H01L23/528;H01L21/98 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 叶晓勇;姜冰 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 复合IC芯片包括嵌入主IC芯片的金属化级内的小芯片。小芯片可包括器件层和将无源和/或有源器件互连到小芯片电路系统中的一个或多个金属化层。主IC可包括器件层和将无源和/或有源器件互连到主芯片电路系统中的一个或多个金属化层。小芯片金属化层之一的部件可直接接合到主IC金属化层之一的部件，将两个电路系统互连成复合电路系统。可在小芯片上方施加电介质材料。电介质和小芯片可通过平坦化工艺变薄，并且在小芯片和主芯片上方制作附加的金属化层，例如以形成第一级互连接口。复合IC芯片结构可基本上作为单片IC芯片被组装到封装中。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 嵌入 ic 芯片 金属化 复合 | ||
【主权项】：
暂无信息
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