[发明专利]一种微波插层制备WO3在审

专利信息
申请号: 202010586588.9 申请日: 2020-08-07
公开(公告)号: CN111717936A 公开(公告)日: 2020-09-29
发明(设计)人: 俞鲜鲜;张骋;郑晓虹 申请(专利权)人: 上海应用技术大学
主分类号: C01G41/02 分类号: C01G41/02;B82Y30/00;B82Y40/00;G01N27/30
代理公司: 上海申汇专利代理有限公司 31001 代理人: 徐俊;吴宝根
地址: 200235 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种用微波插层法制备WO3纳米片的方法,其特征在于,将Bi2O3粉体与WO3粉体研磨,形成混合物;将混合物放入马弗炉中煅烧后,自然冷却,得到Bi2W2O9粉体;加入中分多次加入HCl搅拌均匀,每次加入HCl后微波加热;然后抽滤洗涤,自然晾干后得到亮黄色粉体;将其置于HNO3溶液中,磁力搅拌,离心、抽滤洗涤得到WO3纳米片。本发明借助微波只用较短的时间即可获得产物,大大地降低了制备时间。微波处理促进了Bi2W2O9转换成H2W2O7·xH2O,推进了WO3纳米片在固体电化学传感器领域的应用。
搜索关键词: 一种 微波 制备 wo base sub
【主权项】:
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