[发明专利]金属积层陶瓷基板的分断方法在审
| 申请号： | 202010581467.5 | 申请日： | 2013-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN111916356A | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | 武田真和;村上健二;田村健太 | 申请（专利权）人： | 三星钻石工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;B28D1/22 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 日本大阪府*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种金属积层陶瓷基板的分断方法，其是在陶瓷基板的一个表面的整个面上积层有金属膜的积层陶瓷基板的分断方法。用于将在陶瓷基板积层有金属膜的积层陶瓷基板分断。该分断方法包括：沿着上述积层陶瓷基板的刻划预定线利用图案化工具对金属膜进行沟槽加工而不对陶瓷基板进行刻划；沿着已去除上述金属膜的沟槽自上述陶瓷基板的面进行刻划；及使上述积层陶瓷基板与划线一致而进行折断。借由此方法，可将积层陶瓷基板完全分断。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 陶瓷 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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