[发明专利]一种基于光寻址电位传感器检测GPC3的方法有效

专利信息
申请号: 202010578793.0 申请日: 2020-06-23
公开(公告)号: CN111693571B 公开(公告)日: 2023-03-03
发明(设计)人: 李桂银;周治德;赵乐;陈敏 申请(专利权)人: 桂林电子科技大学
主分类号: G01N27/00 分类号: G01N27/00;G01N23/2251;G01N33/68
代理公司: 桂林市华杰专利商标事务所有限责任公司 45112 代理人: 周雯
地址: 541004 广西*** 国省代码: 广西;45
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摘要: 一种基于光寻址电位传感器检测GPC3的方法:将LAPS芯片、光源驱动电路、信号放大电路、和LabVIEW平台组成了LAPS实时测试系统。设计合成了AuNPs/PEI‑rGO复合材料;将AuNPs/PEI‑rGO和GPC3‑Apt修饰在LAPS芯片形成敏感单元。在敏感单元上滴加GPC3标准溶液,形成LAPS的测试基片;在外加偏置电压作用下,LAPS测试基片上GPC3与GPC3‑Apt的特异性结合导致敏感单元表面的电势的改变,I‑V曲线产生相应的偏移;该偏移量与GPC3浓度在0.1‑100μg/mL表现出良好的线性关系,实现了对GPC3的检测。
搜索关键词: 一种 基于 寻址 电位 传感器 检测 gpc3 方法
【主权项】:
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