[发明专利]可调谐全介质梯度磁导率二维全向隐身器件及制作方法在审
| 申请号： | 202010576065.6 | 申请日： | 2020-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN111799562A | 公开（公告）日： | 2020-10-20 |
| 发明（设计）人： | 赵乾;彭瑞光;孟永钢;周济 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01Q15/00 | 分类号： | H01Q15/00 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 王佳璐 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种可调谐全介质梯度磁导率二维全向隐身器件，包括多层环形高介电常数的电介质颗粒阵列和温度控制系统，电介质颗粒阵列呈圆环柱状，每层电介质颗粒阵列包括几何尺寸相同的多个长方体晶格单元，同一层的电介质颗粒阵列中的多个长方体晶格单元内包含几何尺寸相同的长方体电介质颗粒，不同层的电介质颗粒阵列的多个长方体晶格单元及长方体电介质颗粒的几何尺寸不同；温度控制系统用于控制电介质颗粒阵列所处的环境温度，改变多层环形高介电常数的电介质颗粒阵列的谐振频率，从而实现对隐身器件工作频率的调谐。本发明还公开了一种隐身器件的制作方法。本发明的隐身器件可以对不同频段的电磁波实现隐身，适用范围大，结构简单且易于制作。 | ||
| 搜索关键词： | 调谐 介质 梯度 磁导率 二维 全向 隐身 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
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