[发明专利]门极换流晶闸管的元胞结构、制备方法及门极换流晶闸管有效
| 申请号： | 202010575741.8 | 申请日： | 2020-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN111933704B | 公开（公告）日： | 2022-09-09 |
| 发明（设计）人： | 陈勇民;操国宏;陈芳林;蒋谊;徐焕新;潘学军 | 申请（专利权）人： | 株洲中车时代半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L29/744;H01L21/332;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;金淼 |
| 地址： | 412001 湖南省株洲市石峰*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本公开提供一种门极换流晶闸管的元胞结构、制备方法及门极换流晶闸管，所述元胞结构包括在元胞结构两侧，于所述衬底表面向下设置有侧部沟槽，以在所述衬底表面于所述元胞结构中心位置形成凸台；位于所述侧部沟槽和所述凸台下方的第二导电类型短基区；其中，所述短基区的底部于与所述凸台对应的位置处有凸起；位于所述短基区上方的第二导电类型第一基区；位于所述短基区下方的第二导电类型第二基区；其中，所述第二基区的底部于与所述凸台对应的位置处有凸起；位于所述第一基区表面内的第一导电类型发射区；其中，所述短基区的掺杂浓度高于所述第一基区和所述第二基区。可提高驱动控制电压值，从而提高换流速度、增大GCT芯片的关断能力。 | ||
| 搜索关键词： | 换流 晶闸管 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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