[发明专利]基于引入氧缺陷的多层TMDs光电器件及制备方法在审
| 申请号： | 202010575624.1 | 申请日： | 2020-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN111864006A | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 吴章婷;洪景涛;张阳;郑鹏;郑梁 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L31/109 | 分类号： | H01L31/109;H01L31/0272;H01L31/18 |
| 代理公司： | 浙江永鼎律师事务所 33233 | 代理人： | 陆永强 |
| 地址： | 310018*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本发明公开一种基于引入氧缺陷的多层二维过渡金属硫化物(TMDs)高性能光电器件及制备，属于材料应用技术领域。本发明包括：P型硅衬底、二氧化硅绝缘层、多层TMDs、漏极和源极；所述的源极、漏极、多层TMDs均位于二氧化硅/硅(SiO |
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| 搜索关键词： | 基于 引入 缺陷 多层 tmds 光电 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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