[发明专利]一种边读边写的SDRAM控制系统及控制方法有效
| 申请号： | 202010567437.9 | 申请日： | 2020-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN111739569B | 公开（公告）日： | 2022-04-26 |
| 发明（设计）人： | 李婷;马屹巍;郝昕 | 申请（专利权）人： | 西安微电子技术研究所 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413;G11C16/26;G11C16/34 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 朱海临 |
| 地址： | 710065 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种边读边写的SDRAM控制系统及控制方法，该系统的N个写数据缓存FIFO，N个读数据缓存FIFO，FIFO缓存控制模块和SDRAM时序控制模块；该系统中FIFO缓存控制模块在不断的对SDRAM时序控制模块发出针对SDRAM的初始化、读、读刷新、写和写刷新操作的指令，使得SDRAM不断的进行读写操作，但因为SDRAM在同一个时间只能进行一个操作，因此通过写数据缓存FIFO和读数据缓存FIFO不断进行数据的读取和缓存，使得从外部客户端的角度，该系统能够不间断的同步读写。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 边读边写 sdram 控制系统 控制 方法 | ||
【主权项】：
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