[发明专利]非晶态CrSiCN涂层及其制备方法、应用、导电膜和电子设备有效

专利信息
申请号: 202010567004.3 申请日: 2020-06-19
公开(公告)号: CN111850486B 公开(公告)日: 2022-07-12
发明(设计)人: 王强;晏柱;薛涛 申请(专利权)人: 维达力实业(深圳)有限公司
主分类号: C23C14/34 分类号: C23C14/34;C23C14/06;C23C14/54;C23C14/02;C23C14/18;A61B5/0245;A61B5/263
代理公司: 华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 马小悦
地址: 518129 广东省深圳市龙岗区坂田街*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明涉及一种非晶态CrSiCN涂层及其制备方法、应用和导电膜;其中,非晶态CrSiCN涂层的制备方法中,真空条件下,采用CrSi合金靶为靶材,通入惰性气体、C2H2和N2,进行气相沉积,得到非晶态CrSiCN涂层;其中,所述气相沉积采用离子源辅助沉积。该方法能避免形成具有柱状形貌的晶态CrSiCN,且采用离子源辅助沉积能进一步提高膜层致密性,使涂层结构紧致,进一步提高了涂层的耐腐蚀性、耐磨性和硬度;制得的非晶态CrSiCN涂层应用于各类电子设备,能提高其耐磨、耐防腐性能和硬度,进而提高其使用寿命。
搜索关键词: 晶态 crsicn 涂层 及其 制备 方法 应用 导电 电子设备
【主权项】:
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