[发明专利]一种基于多层磁性复合结构的各向异性磁电阻有效
| 申请号： | 202010562477.4 | 申请日： | 2020-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN111740010B | 公开（公告）日： | 2022-11-15 |
| 发明（设计）人： | 唐晓莉;陶仁婧;姜杰 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学;上海麦歌恩微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10;H01L43/12 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 吴姗霖 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种基于多层磁性复合结构的各向异性磁电阻，属于磁传感器技术领域。所述磁电阻包括基片，以及依次形成于基片之上的缓冲层薄膜、[NiFe/NiCo]n的多层薄膜和覆盖层薄膜，其中，n≥2。本发明采用[NiFe/NiCo]n的多层薄膜作为磁性层，通过相邻磁性层间界面的自旋相关散射，弥补由于n增大后单层磁性层厚度降低对各向异性磁电阻效应的降低，并且可以根据具体应用的需求，通过重复周期n及各层的厚度灵活调整传感器翻转场、线性区等参数，实现磁各向异性薄膜厚度在降低到20～40nm后仍然兼具小的饱和场与大于2％的各向异性磁电阻变化率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 多层 磁性 复合 结构 各向异性 磁电 | ||
【主权项】：
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