[发明专利]一种钙钛矿/晶硅叠层太阳电池结构有效
申请号: | 202010558387.8 | 申请日: | 2020-06-18 |
公开(公告)号: | CN111710746B | 公开(公告)日: | 2022-03-25 |
发明(设计)人: | 寿春晖;闫宝杰;曾俞衡;盛江;叶继春;丁莞尔;郑晶茗 | 申请(专利权)人: | 浙江浙能技术研究院有限公司;中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
主分类号: | H01L31/0725 | 分类号: | H01L31/0725;H01L31/0747;H01L51/42 |
代理公司: | 杭州九洲专利事务所有限公司 33101 | 代理人: | 张羽振 |
地址: | 311121 浙江省杭州市余*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种钙钛矿/晶硅叠层太阳电池结构,包括:底电池和钙钛矿顶电池;所述底电池为晶硅类‑PERC底电池或晶硅类‑PERT底电池;所述钙钛矿顶电池包括钙钛矿电池载流子传输层A、钙钛矿吸收层、钙钛矿电池载流子传输层B、透明导电膜和顶电极栅线;所述顶电极栅线位于透明导电膜顶部。本发明的有益效果是:这种钙钛矿/晶硅类‑PREC或钙钛矿/晶硅类‑PERT可以利用目前晶硅PREC或PERT太阳电池的生产线,只需做少量的改进,即可制备出良好的底电池,提高太阳电池效率,降低钙钛矿/晶硅叠层电池的生产成本;本结构可以形成可靠的全表面隧穿结接触,无整流效应;制备工艺完全兼容现有硅电池生产方法,可全表面均匀制备,工艺简单,可靠性强。 | ||
搜索关键词: | 一种 钙钛矿 晶硅叠层 太阳电池 结构 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江浙能技术研究院有限公司;中国科学院宁波材料技术与工程研究所,未经浙江浙能技术研究院有限公司;中国科学院宁波材料技术与工程研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010558387.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的