[发明专利]一种OLED屏体及其制备方法在审
| 申请号： | 202010553862.2 | 申请日： | 2020-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN111785754A | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 朱映光;张国辉;许显斌;郭立雪;安小鹏;王树朋;胡永岚 | 申请（专利权）人： | 固安翌光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;H01L51/00 |
| 代理公司： | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人： | 韩亚伟 |
| 地址： | 065500 河北*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种OLED屏体及其制备方法，OLED屏体包括可三维曲面性衬底和多个OLED子屏；OLED子屏之间通过可延展引线电性连接；OLED子屏通过可三维延展连接层连接在可三维曲面性衬底上。OLED子屏通过可三维延展连接层连接在可三维曲面性衬底上，当OLED屏体变形时，可三维延展连接层随着可三维曲面性衬底产生一定变形，分散了子屏与衬底连接处作用力，起到了缓冲作用，避免OLED子屏与衬底分离造成破坏，提高OLED屏体整体寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 oled 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
