[发明专利]一种基于复合纳米线网络结构的忆阻器有效
| 申请号： | 202010551625.2 | 申请日： | 2020-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN111755600B | 公开（公告）日： | 2022-03-15 |
| 发明（设计）人： | 黄安平;姬宇航;高勤;陈学良;耿雪丽 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 北京慧泉知识产权代理有限公司 11232 | 代理人： | 王顺荣;唐爱华 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出一种基于复合纳米线网络结构的忆阻器，其结构由下至上依次包括底电极层、复合纳米线网络结构层、顶电极层；其特征在于：复合纳米线网络结构层的功能是作为阻变功能层，包括氧掺杂的氮化物纳米线和纳米线包覆层，氧掺杂的氮化物纳米线底端与底电极层一侧连接；纳米线包覆层将纳米线顶端和侧面完全包覆，纳米线包覆层与顶电极层连接。优点如下：该结构器件表现出稳定的忆阻特性以及学习和遗忘特性为忆阻器在忆阻机理的探究、器件性能的优化提供了研究路径。且具有高的结构稳定性，优异的电学性能。制备方法简单，成本低廉，性能优异，在高密度存储计算，人工突触模拟，人工智能等领域应用广泛，有利于探索新型的类脑神经的工作机制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 复合 纳米 网络 结构 忆阻器 | ||
【主权项】：
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