[发明专利]一种氮化镓外延芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 202010548110.7 | 申请日： | 2020-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN111682093A | 公开（公告）日： | 2020-09-18 |
| 发明（设计）人： | 李东键;叶宏伦;钟健;钟其龙;刘崇志;张本义 | 申请（专利权）人： | 璨隆科技发展有限公司;阿克苏爱矽卡半导体技术研发有限公司;新疆璨科半导体材料制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/04;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 | 代理人： | 罗恒兰 |
| 地址： | 210000 江苏省南京市江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种氮化镓外延芯片及其制备方法，其中，氮化镓外延芯片包括衬底、种子层、缓冲层和氮化镓外延层，其中，种子层设于衬底上，缓冲层设于种子层和氮化镓外延层之间。本发明在衬底和氮化镓外延层之间增设了种子层和缓冲层，用于改善氮化镓与衬底之间的晶格系数、热膨胀系数等特性的匹配性，从而在保证氮化镓晶格排列错位密度的情况下，能够提高氮化镓的的生长厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 外延 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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