[发明专利]一种超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管结构有效
| 申请号： | 202010546021.9 | 申请日： | 2020-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN111669889B | 公开（公告）日： | 2023-09-29 |
| 发明（设计）人： | 请求不公布姓名 | 申请（专利权）人： | 深圳市创然电子有限公司 |
| 主分类号： | H05K1/02 | 分类号： | H05K1/02;H05K1/18 |
| 代理公司： | 安徽盟友知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 34213 | 代理人： | 樊广秋 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市坪山区龙*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管结构，包括超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管，所述超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管的底部安装有多个输出端，多个所述第一通孔的内壁分别与多个输出端的外壁间隙配合。该超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管结构，避免电路板安装出现错误时，超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管可能会产生爆炸，将整体的电路板造成损坏，造成经济损失，该超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管结构，使得超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管可通过第二通孔进行散热，并通过卡杆与卡槽的卡接，将箱体盖和箱体可进行稳定的连接。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超级 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市创然电子有限公司，未经深圳市创然电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010546021.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种PE管表层防晒胶布张贴装置
- 下一篇：一种基于BPE技术的金属线制备方法
