[发明专利]实现超高消光比系数的金光栅及其制备方法在审
| 申请号： | 202010545103.1 | 申请日： | 2020-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN111766654A | 公开（公告）日： | 2020-10-13 |
| 发明（设计）人： | 陈宜方;杨宗耀;朱静远 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | G02B5/18 | 分类号： | G02B5/18 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;陆尤 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明属于光栅技术领域，具体为一种实现超高消光比系数的金光栅及其制备方法。本发明方法包括：在双抛硅衬底上生长铬/金电镀种子层；在硅衬底上旋涂厚度1‑1.8微米的PMMA正性光刻胶；利用Tracer软件中的蒙地卡罗模型计算空间电荷分布，采用LAB软件计算大高宽比光刻胶剖面形貌；采用曝光图案增添加强筋的方法保证光刻胶垂直性和完整性；利用电子束光刻机实施曝光；进行显影，然后用IPA漂洗，获得光刻胶光栅结构；以光刻胶为掩膜，进行纳米电镀金，得到金光栅。该金光栅在200纳米的周期下拥有8：1至18：1的大高宽比，占空比为0.3‑0.7，可以作为在近红外波段对电磁波的偏振起偏器，其起偏消光系数上最大可达10 |
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| 搜索关键词： | 实现 超高 系数 金光 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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