[发明专利]一种基于钙钛矿的新型异质结光电器件及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于钙钛矿的新型异质结光电器件及其制备方法，该光电器件包括半导体基底和位于其上表面的二氧化铪层，所述二氧化铪层上表面设有源极电极和漏极电极，所述二氧化铪层上表面位于所述源极电极和漏极电极之间设有钙钛矿薄膜，所述半导体基底下表面设置栅极电极。本发明所公开的光电器件具有体积小，成本低，性能高，制作简单，检测灵敏度高，超高的外量子效率，在光电子器件领域具有极大的应用潜力。