[发明专利]涉及存储器侧(NAND侧)写入训练的系统及方法在审
| 申请号： | 202010544761.9 | 申请日： | 2020-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN112116941A | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | A·M·马卡罗内;L·皮洛利;A·费兹扎林葛兰姆;C·Y·陈 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/04;G11C16/32 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请案涉及有关存储器侧(NAND侧)写入训练的系统及方法。本发明揭示涉及存储器侧写入训练以改进数据有效窗口的系统及方法。在一个实施方案中，用于执行存储器侧写入训练的方法可包括：延迟第一数据信号的上升沿或下降沿；延迟第二数据信号的上升沿或下降沿；及使两个经调整信号对准以减小所述数据信号非有效的时间窗口且借此改进或优化存储器阵列的所述数据有效窗口DVW。根据本文中的实施方案，可经由存在于位于系统的所述存储器侧上的数据路径中的专用修整单元或电路系统而调整或延迟数据信号及时钟信号的各种边沿。 | ||
| 搜索关键词： | 涉及 存储器 nand 写入 训练 系统 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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