[发明专利]一种具有埋层结构的新型低阈值JLFET器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202010537128.7 | 申请日： | 2020-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN111863967A | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 王斌;罗昭;陈睿;蔺孝堃;樊碧莹;胡辉勇 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 李园园 |
| 地址： | 710000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有埋层结构的新型低阈值JLFET器件及其制备方法，JLFET器件包括：衬底；衬底表面设有源区、漏区以及沟道区；其中，源区和漏区分别位于沟道区的两端；沟道区下方设置有埋层，埋层起始于沟道区与源区的交界处，且埋层的长度小于沟道区的长度；沟道区上方设有栅极结构；JLFET器件的有源区周围环绕有重掺杂隔离区，重掺杂隔离区上设有衬底电极。不同于常规JLFET，本发明所提供的JLFET器件通过在沟道底下引入重掺杂埋层，利用重掺杂埋层与沟道区之间的衬底PN结的耗尽区，实现关态时对沟道的夹断，降低了对栅极金属功函数的要求，使得器件阈值电压得到降低，提高了器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 结构 新型 阈值 jlfet 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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