[发明专利]包括非易失性储存电路的半导体存储器装置及其操作方法在审
| 申请号： | 202010528496.5 | 申请日： | 2020-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN113096716A | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 郑喆文 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C17/16 | 分类号： | G11C17/16;G11C17/18 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 许伟群;郭放 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种非易失性储存装置包括：非易失性储存电路，包括适用于根据计数地址而依次输出熔丝数据的多个熔丝组，每个熔丝组包括使能熔丝、多个地址熔丝和重复性熔丝；读取控制电路，适用于接收熔丝数据，以及通过利用接收到的熔丝数据中的重复性熔丝的数据有选择地掩蔽使能熔丝和地址熔丝的数据来输出锁存数据；以及编程控制电路，适用于根据编程模式信号进行控制：在从外部输入的修复地址与重复的熔丝组中的地址熔丝的数据相同时对熔丝组中的重复的熔丝组的重复性熔丝进行编程，或者将修复地址编程到熔丝组中的可用熔丝组中。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 非易失性 储存 电路 半导体 存储器 装置 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司，未经爱思开海力士有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010528496.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
