[发明专利]一种溅射用细晶高纯铝硅铜合金靶材坯料的制备方法有效
| 申请号： | 202010527438.0 | 申请日： | 2020-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN111719059B | 公开（公告）日： | 2021-12-28 |
| 发明（设计）人： | 马小红;徐亚军;元鹏超;白毅;张博;刘江滨;马青 | 申请（专利权）人： | 新疆众和股份有限公司 |
| 主分类号： | C22C1/03 | 分类号： | C22C1/03;C22C1/06;C22C21/02;C23C14/34;B22D11/00;B22D11/119 |
| 代理公司： | 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) 11348 | 代理人： | 孟阿妮;张小勇 |
| 地址： | 830000 新疆维吾尔自治区乌鲁*** | 国省代码： | 新疆;65 |
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| 摘要： | 本发明为一种溅射用细晶高纯铝硅铜合金靶材坯料的制备方法。一种溅射用细晶高纯铝硅铜合金靶材坯料的制备方法，包括：S10配制中间合金：所述的中间合金为铝铜中间合金和铝硅中间合金；S20：将所述的中间合金与99.9995％纯度的高纯铝在真空熔炼炉中熔融，完全熔融后，得合金液；所述的合金液中硅含量为0.9‑1.1wt％，铜含量为0.45‑0.55wt％；S30：将所述的合金液采用高纯氩气进行在线精炼；S40：将经过在线精炼的合金液进行双极过滤；S50：将经过双级过滤的合金液进行φ120‑164mm棒材坯料铸造，得所述的溅射用细晶高纯铝硅铜合金靶材坯料。本发明所述的一种溅射用细晶高纯铝硅铜合金靶材坯料的制备方法，制备的溅射用高纯AL‑1wt％Si‑0.5wt％Cu靶材坯料中微量杂质元素含量极低，溅射成膜性能好，且成分均匀。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 溅射 用细晶 高纯 铜合金 坯料 制备 方法 | ||
【主权项】：
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