[发明专利]一种在DDR3中基于时分复用进行读写控制的装置在审

专利信息
申请号: 202010517116.8 申请日: 2020-06-09
公开(公告)号: CN111694775A 公开(公告)日: 2020-09-22
发明(设计)人: 何春;任跃;李小林;程郁凡 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: G06F13/16 分类号: G06F13/16
代理公司: 电子科技大学专利中心 51203 代理人: 邹裕蓉
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明针对要在一片DDR3上完成多路独立信号的数据存储及转换的问题首先需要合理实现DDR3针对不同信号的读写控制的问题,提供一种在DDR3中基于时分复用进行读写控制的装置,包括时分复用模块、DDR3写控制状态机模块、DDR3读控制状态机模块和DDR3读写数据模块、DDR3读写地址模块及读写命令信号产生模块;时分复用模块用于产生各独立信号的专属读时隙和写时隙,各路径信号读、写过程完全独立;DDR3读、写控制状态机模块分别用于控制DDR3的数据读、写过程;DDR3的读写数据、地址及读写命令信号产生模块用于完成和DDR3最直接的数据交互过程。本发明硬件实现结构简单,灵活可配置,可降低实现成本,在一定条件下可提高系统运行频率。
搜索关键词: 一种 ddr3 基于 时分 进行 读写 控制 装置
【主权项】:
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