[发明专利]三维存储器的制作方法

摘要

本发明提供了一种三维存储器的制作方法，属于半导体存储技术领域，其旨在解决对位于沟道孔底部的沟道结构进行开口时，损伤位于沟道孔的侧壁上的功能层的问题。所述制作方法包括以下步骤：提供衬底；在衬底上堆叠形成至少两个叠层结构，以及形成贯穿各叠层结构的沟道孔；在沟道孔内形成功能层并在功能层的内侧壁上形成第一保护层；刻蚀去除位于沟道孔的底部的功能层，形成延伸至衬底的通孔；其中，功能层与第一保护层的刻蚀选择比大于1。本发明提供的三维存储器的制作方法，以沟道孔为刻蚀通道对功能层的底部进行开口时，可避免损伤形成在沟道孔的侧壁上功能层，提高三维存储器的良率和可靠性。