[发明专利]覆晶薄膜及其制备方法在审
申请号: | 202010515723.0 | 申请日: | 2020-06-09 |
公开(公告)号: | CN111724741A | 公开(公告)日: | 2020-09-29 |
发明(设计)人: | 陈毅成 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | G09G3/3225 | 分类号: | G09G3/3225;H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 吕姝娟 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请实施例公开了覆晶薄膜以及覆晶薄膜的制作方法,能够通过在COF的切割区形成的凹口对COF进行切割,减少切割区的金属走线边缘的金属碎屑的产生,降低因金属碎屑与金属走线相连而导致短路从而造成COF线路损伤,改善COF产品的性能。本申请实施例的覆晶薄膜包括:基板;金属层,所述金属层覆盖在所述基板的上表面,所述金属层由多条相互平行的金属走线构成;切割区,所述切割区的所述金属层的上表面有凹口,所述切割区的切割线的方向与所述金属走线的轴向相垂直。能够通过在切割区形成的凹口对覆晶薄膜进行切割,减少切割区的金属走线边缘的金属碎屑的产生,降低因金属碎屑与金属走线相连而导致短路从而造成覆晶薄膜线路损伤。 | ||
搜索关键词: | 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电半导体显示技术有限公司,未经武汉华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010515723.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:抗微生物组合物
- 下一篇:一种竹材高效自动劈条工装