[发明专利]一种具有防护功能的离子源的导磁套筒结构在审

专利信息
申请号: 202010515710.3 申请日: 2020-06-09
公开(公告)号: CN111916326A 公开(公告)日: 2020-11-10
发明(设计)人: 丁永杰;魏立秋;李鸿;唐井峰;于达仁 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学;哈工大机器人(岳阳)军民融合研究院
主分类号: H01J37/02 分类号: H01J37/02;H01J37/32;C23C14/30
代理公司: 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 23211 代理人: 王海婷
地址: 150001 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: 发明提供了一种具有防护功能的离子源的导磁套筒结构,导磁套筒结构设置在离子源的放电通道的底部,导磁套筒结构包括内导磁套筒、环形导磁板、外导磁套筒和防护罩,内导磁套筒和外导磁套筒同轴嵌套布置,且内导磁套筒的底部与外导磁套筒的底部平齐设置,内导磁套筒的底部与外导磁套筒的底部之间通过环形导磁板连接,内导磁套筒、环形导磁板和外导磁套筒同材质且一体成型设置;防护罩固定在内导磁套筒的顶部,且覆盖内导磁套筒的上端口,在环形导磁板上开设有两个安装孔。本发明解决现有离子源放电通道底部受等离子体回流侵蚀严重以及近阳极区磁场强度过大导致的高电压工况下阳极表面热沉积严重,且通道内无法实现磁场正梯度放电的问题。
搜索关键词: 一种 具有 防护 功能 离子源 套筒 结构
【主权项】:
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