[发明专利]半导体设备的反应腔室有效
| 申请号： | 202010513042.0 | 申请日： | 2020-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN111739820B | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | 王勇飞;史小平;郑波;兰云峰 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/677;H01L21/687 |
| 代理公司： | 北京思创毕升专利事务所 11218 | 代理人： | 孙向民;廉莉莉 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体设备的反应腔室，包括用于承载晶片的基座和晶片升降装置，该晶片升降装置包括：基座升降组件和晶片升降组件；基座升降组件包括升降轴，升降轴的一端伸入反应腔室内且与基座连接，以带动基座升降；晶片升降组件包括：支撑盘套设于升降轴的外部；至少两个支撑柱沿支撑盘周向分布，每个支撑柱的一端连接于支撑盘的上表面，另一端穿过基座；支撑柱升降机构设置于基座的下部，支撑柱升降机构与支撑盘传动连接，当升降轴带动基座升降时，支撑柱升降机构能够使支撑盘以反向于基座的方向进行运动；支撑柱升降机构借助基座升降组件的运动带动支撑盘升降，以带动支撑柱，其结构紧凑，有利于减小反应腔室的空间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体设备 反应 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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