[发明专利]3D NAND存储器件及3D NAND存储器件的制造方法

摘要

本发明提供一种3D NAND存储器件及3D NAND存储器件的制造方法，所述3D NAND存储器件包括衬底、堆叠结构及台阶结构，堆叠结构设置在衬底上且其内设置有多个存储区块，台阶结构设置在堆叠结构中且其包括多个主台阶，多个主台阶的延伸方向与存储区块的延伸方向相互垂直；通过台阶结构中主台阶的延伸方向与存储区块的延伸方向相互垂直的结构设计，能减少主台阶在存储区块的延伸方向上所占用面积和体积，最终减小了台阶结构对存储区块的应力和膨胀挤压影响，提高了器件的结构稳定性；台阶结构的整体占用面积减小，有利于增大存储阵列结构的占用面积，实现更高密度的设计；采用分步削减刻蚀形成台阶结构，刻蚀次数少、掩膜少，降低了生产成本，并提高了生产效率。