[发明专利]GaN器件及制备方法在审
| 申请号： | 202010469184.1 | 申请日： | 2020-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN111584619A | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 莫炯炯;王志宇;陈华;刘家瑞;郁发新 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L29/20 | 分类号： | H01L29/20;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种GaN器件及制备方法，制备方法包括如下步骤：提供GaN器件外延片，所述GaN器件外延片至少包括外延衬底和在所述外延衬底上外延生长的GaN沟道层，在所述GaN器件外延片上定义源区和漏区；在所述源区和所述漏区之间通过刻蚀所述GaN沟道层形成多个在垂直于所述源区和所述漏区连接方向上依次排列的鳍指结构，多个所述鳍指结构具有不同宽度；形成连接多个所述鳍指结构的栅极结构。本发明通过引入具有不同宽度的鳍指结构，实现跨导补偿作用，在栅压的一定变化范围内使跨导保持线性变化，从而得到高线性度的GaN器件，无需通过额外电路补偿设计进行线性优化，节省了成本，且制备工艺简单、重复性好、可靠性高。 | ||
| 搜索关键词： | gan 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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