[发明专利]固体材料及半导体器件内部缺陷检测方法在审
| 申请号： | 202010467435.2 | 申请日： | 2020-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN111665295A | 公开（公告）日： | 2020-09-15 |
| 发明（设计）人： | 杨安丽;张新河;高博;陈施施;温正欣;张志新;张国旗 | 申请（专利权）人： | 深圳第三代半导体研究院 |
| 主分类号： | G01N29/06 | 分类号： | G01N29/06;G01N29/28 |
| 代理公司： | 北京中知法苑知识产权代理有限公司 11226 | 代理人： | 刘敦枫 |
| 地址： | 518055 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明实施例涉及固体及半导体器件测试分析及检测技术，公开了一种固体材料及半导体器件内部缺陷检测方法，利用超声波对待测固体材料或者半导体器件进行检测，该方法首先准备超声波设备，超声波设备包括声学信号源、声学换能器、声波采集模块和声波分析模块；在待测固体器件和声学换能器之间涂覆耦合剂材料；声学信号源发出超声信号，待测固体器件与声学换能器耦合而传输超声波；声波采集模块采集待测固体器件声波图像；声波分析模块对声波图像进行分析，获取待测固体器件内部形貌数据。非破坏测量样品表面及内部形貌的方法，简单方便。此法可改善样品与换能器之间的超声波信号传输的效果，极大地提高扫描探针声学显微镜的成像质量。 | ||
| 搜索关键词： | 固体 材料 半导体器件 内部 缺陷 检测 方法 | ||
【主权项】：
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