[发明专利]一种自适应工艺电压温度降低静态存储器SRAM漏电流的系统有效
| 申请号： | 202010466933.5 | 申请日： | 2020-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN111739568B | 公开（公告）日： | 2022-02-11 |
| 发明（设计）人： | 刘新宁;邹为 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | G11C11/412 | 分类号： | G11C11/412;G11C11/417;G11C5/14;G01R19/00;G01K13/00 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 熊玉玮 |
| 地址： | 210096 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种自适应工艺电压温度降低静态存储器SRAM漏电流的系统，属于基本电气元件的技术领域。该系统包含工艺电压温度监测模块、电压调节模块、假负载模块、开关管模块、功率管模块、状态切换控制信号产生电路模块。上电后系统整体开始工作，工艺电压温度监测模块输出当前工艺、温度下的参考电压值，并能够抵抗一定的电源电压波动，在进入睡眠的切换过程中，假负载首先工作，稳定电压调节环路，预先调整功率管模块栅极电压，减小切换过程中SRAM供电电压下冲，然后假负载关闭，SRAM经过电压调节模块调整，供电电压接近工艺电压温度监测模块输出后彻底进入睡眠模式。本发明在不同的工艺电压温度情况下都会自适应调节SRAM供电电压至最优值，降低漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 自适应 工艺 电压 温度 降低 静态 存储器 sram 漏电 系统 | ||
【主权项】：
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