[发明专利]改善SADP工艺中栅极刻蚀制程线宽差异的方法

摘要

本发明公开了一种改善SADP工艺中栅极刻蚀制程线宽差异的方法，步骤如下：在芯轴结构的侧面形成侧墙；去除芯轴结构；淀积牺牲层覆盖侧墙；对牺牲层进行回刻使侧墙的顶部露出，同一组侧墙的露出部分的间隙宽度小于未露出部分的间隙宽度；采用离子注入工艺对侧墙的露出部分进行修饰，侧墙中被修饰的露出部分能被DHF去除；采用DHF去除侧墙被修饰的部分；去除剩余的牺牲层。本发明在芯轴结构侧面形成侧墙后淀积牺牲层对侧墙进行覆盖，通过回刻使侧墙的顶部露出，采用离子注入工艺进行侧墙露出部分的修饰，利用被离子修饰过的侧墙能被DHF去除的特点去除侧墙的露出部分，避免了现有工艺中刻蚀减薄形成的芯轴结构上下宽度不一致对后续栅极刻蚀制程中各层刻蚀的影响。