[发明专利]一种制备方法和晶片生长原料有效
| 申请号： | 202010440710.1 | 申请日： | 2020-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN111575801B | 公开（公告）日： | 2022-06-17 |
| 发明（设计）人： | 焦芳 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | C30B35/00 | 分类号： | C30B35/00;C30B29/36;C01B32/984 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;姜春咸 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种碳化硅晶片生长原料的制备方法，所述制备方法包括：提供初始原料，所述初始原料包括碳粉料、硅粉料和碳化硅粉料；对所述初始原料进行加热，以得到所述碳化硅晶片生长原料。在本发明中，碳化硅晶片生长原料的初始原料中包括碳化硅粉料，该碳化硅粉料能够加快碳、硅反应速率，提高碳化硅晶片生长原料的颗粒生长速率，从而增大生长原料的颗粒体积，并提高碳化硅晶片生长原料的产率。本发明还提供一种碳化硅晶片生长原料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 方法 晶片 生长 原料 | ||
【主权项】：
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