[发明专利]半导体存储器件和操作半导体存储器件的方法在审
| 申请号： | 202010435845.9 | 申请日： | 2020-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN111986727A | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 朴宰究;徐宁焄 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C29/42 | 分类号： | G11C29/42 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 李娜;王凯霞 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供半导体存储器件和操作半导体存储器件的方法。所述半导体存储器件包括存储单元阵列、纠错码(ECC)引擎、输入/输出(I/O)选通电路和控制逻辑电路。所述存储单元阵列包括数据区域和奇偶校验区域。所述I/O选通电路连接到所述ECC引擎和所述存储单元阵列。所述控制逻辑电路通过对从存储控制器接收到的命令进行译码来生成控制信号。所述ECC引擎被配置为基于与第一命令相关联的第一写入数据生成第一奇偶校验数据。所述控制逻辑电路还被配置为基于继所述第一命令之后的第二命令的接收定时和参考时间间隔，调整第一写入定时，以将所述第一奇偶校验数据写入所述奇偶检验区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 操作 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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