[发明专利]凹陷结构的刻蚀方法以及凹陷结构在审
| 申请号： | 202010434386.2 | 申请日： | 2020-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN113707552A | 公开（公告）日： | 2021-11-26 |
| 发明（设计）人： | 林昱佑 | 申请（专利权）人： | 广东汉岂工业技术研发有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308 |
| 代理公司： | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 44217 | 代理人： | 郭伟刚;邹秋菊 |
| 地址： | 528300 广东省佛山市顺德区大良街道办事处德和居*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种凹陷结构的刻蚀方法，包括步骤S1、对基板进行第一次刻蚀以形成第一刻蚀结构；步骤S2、采用沉积材料在所述第一刻蚀结构的侧壁和底部上形成沉积层；步骤S3、破坏所述第一刻蚀结构的底部的所述沉积层；步骤S4、在所述第一刻蚀结构的底部进行第二次蚀刻以形成所述凹陷结构。本发明还涉及采用该凹陷结构的刻蚀方法所制备的凹陷结构。本发明通过将凹陷结构的刻蚀步骤划分成两个或以上的刻蚀步骤，在每两个刻蚀步骤之间添加沉积步骤，直至达到刻蚀步骤，可以有效保护基板侧壁，从而获得开口小且成品率高的凹陷结构。 | ||
| 搜索关键词： | 凹陷 结构 刻蚀 方法 以及 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
