[发明专利]一种硫掺杂的本征多孔磷化镍钴纳米片的制备方法及应用有效
| 申请号： | 202010423480.8 | 申请日： | 2020-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN111768979B | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | 王育乔;王青青;宋利黎;李东;朱世璠 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01G11/30 | 分类号： | H01G11/30;H01G11/26;H01G11/86;H01M4/58;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 211102 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种硫掺杂的本征多孔磷化镍钴纳米片的制备方法及应用，具体包括：a.制备硫掺杂的本征多孔磷化镍钴纳米片；b.将上述制备的硫掺杂的本征多孔磷化镍钴纳米片作为工作电极，铂片为对电极，饱和甘汞电极为参比电极，组成三电极体系进行电化学性能测试。该本征态有效解决了磷化镍钴结构稳定性差的难题。所制备的硫掺杂的本征多孔磷化镍钴纳米片电极在电流密度为1安培/克时的比电容量可以达到2050法拉/克，当电流密度为5安培/克时，进行10000圈循环之后，仍能保持原始容量的85％。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 多孔 磷化 纳米 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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