[发明专利]通过在整个沉积过程中改变晶片温度来抑制界面反应在审
| 申请号： | 202010423093.4 | 申请日： | 2017-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN111663120A | 公开（公告）日： | 2020-09-15 |
| 发明（设计）人： | 萨沙撒耶·瓦拉达拉简;亚伦·R·费利斯;安德鲁·约翰·迈凯洛;詹姆斯·塞缪尔·西姆斯;拉梅什·钱德拉塞卡拉;乔恩·亨利 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | C23C16/52 | 分类号： | C23C16/52;C23C16/455;C23C16/50;C23C16/34;C23C16/458;C23C16/06;C23C16/26;C23C16/30;C23C16/54 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠;张静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及通过在整个沉积过程中改变晶片温度来抑制界面反应。公开了用于在多站沉积装置中沉积膜的方法和装置以及系统。所述方法可以包括：(a)向所述装置的第一站提供衬底，(b)将所述衬底的温度调节至第一温度，(c)当所述衬底在所述第一站中处于所述第一温度下时，将材料的第一部分沉积在所述衬底上，(d)将所述衬底传送到第二站，(e)将所述衬底的温度调节至第二温度，和(f)当所述衬底处于所述第二温度下时，将所述材料的第二部分沉积在所述衬底上，使得所述第一部分和所述第二部分表现出不同的材料属性值。所述装置和系统可以包括多站沉积装置以及具有用于执行(a)‑(f)中的一个或多个的控制逻辑的控制器。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 整个 沉积 过程 改变 晶片 温度 抑制 界面 反应 | ||
【主权项】：
暂无信息
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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