[发明专利]用于ESD保护的低功耗双向SCR器件和静电防护电路有效
| 申请号： | 202010422170.4 | 申请日： | 2020-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN111599806B | 公开（公告）日： | 2022-06-21 |
| 发明（设计）人： | 高东兴;杜飞波;侯飞 | 申请（专利权）人： | 深圳市晶扬电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人： | 王径武 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种用于ESD保护的低功耗双向SCR器件和静电防护电路，用于ESD保护的低功耗双向SCR器件包括：第一SCR器件，具有阳极、第一电极、门极以及阴极；以及第二SCR器件，具有阳极、第二电极、门极以及阴极；其中，第一SCR器件的阳极与第二SCR器件的阴极电连接；第一SCR器件的阴极与第二SCR器件的阳极电连接；第一SCR器件的第一电极与第二SCR器件的门极电连接；第一SCR器件的门极与第二SCR器件的第二电极电连接；第一电极与第二电极极性相同，且第一电极或第二电极与门极极性相反。本发明旨在一种漏电流小、静态功耗低的用于ESD保护的低功耗双向SCR器件。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 esd 保护 功耗 双向 scr 器件 静电 防护 电路 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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