[发明专利]一种平坦化方法有效
| 申请号： | 202010421861.2 | 申请日： | 2020-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN111554576B | 公开（公告）日： | 2022-08-26 |
| 发明（设计）人： | 金泰源;张月;杨涛;卢一泓 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人： | 王胜利 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种平坦化方法，涉及半导体制造技术领域，以解决在平坦化过程中，由于研磨垫与多孔膜质之间的摩擦，在多孔膜质表面形成裂纹，降低产品良率的问题。该平坦化方法包括：提供一具有折叠部的基底，基底的表面具有位于折叠部的多孔膜质；去除多孔膜质，获得形成在折叠部的凹陷；在基底表面形成修复材料；对基底进行平坦化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 平坦 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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