[发明专利]一种高纯高致密的A/B位多离子共掺杂铁酸铋基陶瓷及其制备方法有效
| 申请号： | 202010421696.0 | 申请日： | 2020-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN111592346B | 公开（公告）日： | 2022-02-22 |
| 发明（设计）人： | 柯华;田晶鑫;罗蕙佳代;曹璐;唐晓慧;邢苗;张洪军 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C04B35/40 | 分类号： | C04B35/40;C04B35/622;C04B35/626;C04B35/634;C04B35/638;C04B35/64 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人： | 李红媛 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： |
一种高纯高致密的A/B位多离子共掺杂铁酸铋基陶瓷及其制备方法，它涉及一种多离子共掺杂的高铁电性能的铁酸铋基陶瓷及其制备方法。本发明的目的是要解决现有方法合成的铁酸铋陶瓷相纯度差和致密化程度低，进而导致陶瓷漏电流大和铁电极化过小的问题。一种高纯高致密的A/B位多离子共掺杂铁酸铋基陶瓷的化学通式为：Bi |
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| 搜索关键词： | 一种 高纯 致密 离子 掺杂 铁酸铋基 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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