[发明专利]一种碳化硅石墨烯衬底外延材料的制备方法在审
| 申请号： | 202010419518.4 | 申请日： | 2020-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN111533114A | 公开（公告）日： | 2020-08-14 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨鹏谦科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B32/188 | 分类号： | C01B32/188;C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 哈尔滨市伟晨专利代理事务所(普通合伙) 23209 | 代理人： | 韩立岩 |
| 地址： | 150000 黑龙江省哈尔滨市南岗区*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 一种碳化硅石墨烯衬底外延材料的制备方法，属于单晶材料制备技术领域。本发明解决了目前制备碳化硅石墨烯衬底外延材料时存在的缺陷问题。本发明提供了一种碳化硅石墨烯衬底外延材料的制备方法，包括碳化硅基层的生长，碳化硅‑石墨烯层的生长，利用衬底制备专用设备对碳化硅‑石墨烯复合层进行加工，获得碳化硅石墨烯外延晶体材料，切割后得到的碳化硅晶体再次生长石墨烯，再次经过加工后得到碳化硅石墨烯衬底外延材料，依次反复操作，即可获得工业化碳化硅石墨烯衬底外延材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 石墨 衬底 外延 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
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