[发明专利]阵列基板及其制备方法有效
| 申请号： | 202010418832.0 | 申请日： | 2020-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN111613624B | 公开（公告）日： | 2022-08-05 |
| 发明（设计）人： | 周思思 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L27/32;H01L21/84 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 唐秀萍 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种阵列基板及其制备方法，所述阵列基板包括衬底基板、第一走线、第二走线以及第三走线和第四走线。本申请通过在第一走线朝向第二走线的一侧设置第一凹槽以及在第二走线朝向第一走线的一侧设置第二凹槽，且第一凹槽和第二凹槽相对设置，其中，第一凹槽和第二凹槽用以加宽第一走线和第二走线之间的间距区。当第三走线和第四走线分别跨过第一走线和第二走线时，第三走线和第四走线之间的间距区对应跨过第一凹槽和第二凹槽所在区域，使得第三走线和第四走线彼此分离互不连接，且不会发生短路，提高阵列基板的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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