[发明专利]应用于半导体装置的高强度氧化锆－氧化铝复合陶瓷基板及其制造方法在审
| 申请号： | 202010414630.9 | 申请日： | 2020-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN113666724A | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 朱智鸿;汪睿凯 | 申请（专利权）人： | 九豪精密陶瓷股份有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/119 | 分类号： | C04B35/119;C04B35/622;H01L23/15 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人： | 王立民;曾晨 |
| 地址： | 中国台湾桃园*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： |
本发明提出了一种应用于半导体装置的高强度氧化锆－氧化铝复合陶瓷基板，将氧化铝、氧化锆及自制合成的添加助剂三种起始粉体，在室温下，于有机溶剂中，进行球磨混合分散，再经调制浆料步骤、除气步骤、生胚成型步骤、冲片步骤、计算步骤及烧结步骤等步骤所制得，而具备优异三点抗折强度＞600MPa机械性能、热传导率＞26W/mK、绝缘特性＞10 |
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| 搜索关键词： | 应用于 半导体 装置 强度 氧化锆 氧化铝 复合 陶瓷 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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