[发明专利]RRAM阻变结构的形成方法有效
| 申请号： | 202010413713.6 | 申请日： | 2020-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN111799372B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 徐灵芝;张志刚 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H10N70/20 | 分类号： | H10N70/20;H10B63/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种RRAM阻变结构的形成方法，包括：提供一半导体基底；在所述半导体基底上形成下电极；在所述下电极上使用α相的Ta形成第一钽层，在所述第一钽层上使用β相的Ta形成第二钽层；氧化处理所述第一钽层和所述第二钽层形成钽氧化物层；在所述钽氧化物层上依次形成阻挡层和上电极。在本发明中，形成钽氧化物层的钽，分两步形成，两步形成的钽的材质不一致，即先以α相的Ta形成第一钽层，再以β相的Ta形成第二钽层，可以很容易地控制钽氧化成钽氧化物层的过程和程度，形成效果更好的钽氧化物层。 | ||
| 搜索关键词： | rram 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010413713.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
