[发明专利]具有氮化铝成核层的基板及其制造方法在审
| 申请号： | 202010413464.0 | 申请日： | 2020-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN112117324A | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 谢伟杰;黄彦纶;刘嘉哲;李依晴 | 申请（专利权）人： | 环球晶圆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/20 | 分类号： | H01L29/20;H01L29/205;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京伟思知识产权代理事务所(普通合伙) 11725 | 代理人： | 聂宁乐;付艳红 |
| 地址： | 中国台湾新竹科学*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种具有氮化铝成核层的基板包括一硅基材及一氮化铝成核层；所述氮化铝成核层系设置于所述硅基材上；其中，所述氮化铝成核层的厚度为20nm至200nm；所述氮化铝成核层的表面粗糙度系小于或等于0.4nm；所述氮化铝成核层的X光衍射摇摆曲线的波峰的半高宽(FWHM)系小于或等于4000角秒；所述氮化铝成核层中无滑移线。其中，硅基材为含硅的基材，且其材质例如可为碳化硅(SiC)或硅(Si)。一种具有氮化铝成核层的基板的制造方法亦在此揭露。由于基板的氮化铝成核层无滑移线产生，因此后续形成的磊晶层可具有较好的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 氮化 成核 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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