[发明专利]背压气路装置、反应腔室基座背压控制方法及反应腔室在审
| 申请号： | 202010413145.X | 申请日： | 2020-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN111599718A | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 刘畅;郑波;荣延栋;文莉辉 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京思创毕升专利事务所 11218 | 代理人： | 孙向民;廉莉莉 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种背压气路装置、反应腔室基座背压控制方法及反应腔室。背压气路装置包括供气管路、背吹气路、背吹旁路和控制单元，背吹气路的进气端，背吹气路的出气端用于向基座供给背吹气体；背吹旁路的两端分别连通供气管路的出气端和反应腔室，用于将供气管路中的气体输送至反应腔室；供气管路的进气端设有质量流量控制器，背吹气路上设置有第一压力检测单元；控制单元用于计算背吹压力值与预设压力值的差值，并基于差值计算供气管路的气体流量输出值后反馈给质量流量控制器；质量流量控制器根据气体流量输出值控制通入背吹气体的流量，以使第一压力检测单元检测的背吹压力值保持在预设压力值。能够实现精确控制晶片的背压。 | ||
| 搜索关键词： | 压气 装置 反应 基座 控制 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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